半導体中にAlGaAs/GaAsの変調ドープを繰り返す事により、2次元電子系を多層化する事が可能である。 各々の電子密度を調整しておく事により、各層で異なる波長のフォトンを検出させる、3次元検出器を形成できる。
これは本検出器を発展させた究極の姿であろうと考えられるが、一方で各層の電子密度の正確な調整、量子ドットの3次元配置とその配線、結晶内部の量子ドット/読み出し回路の放熱等、技術的課題は非常に多い。
しかしながら実現した場合にはその検出器は遠赤外線観測に大きな能力を発揮するものと期待され、将来的に開発を目指す価値は十分あるものと考える。
